Product Demonstration
符合標(biāo)準(zhǔn):
IEC60749、IEC60747、AQG324、AEC-Q101、JEDEC等標(biāo)準(zhǔn)。
適用范圍:
適用于各種封裝形式的IGBT模塊、二極管模塊、整流橋模塊、晶閘管模塊進(jìn)行高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)。
技術(shù)特點(diǎn):
可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)的結(jié)溫TJ。
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)試驗(yàn)器件的漏電流。
每個(gè)回路漏電流超上限電子開關(guān)斷電保護(hù)。
全過程試驗(yàn)數(shù)據(jù)保存于硬盤中，可輸出Excel試驗(yàn)報(bào)表和繪制全過程漏電流IR變化曲線。
